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还在为系统内存性能不足而烦恼吗？让MT47H64M8SH-187E:H TR为您带来飞跃般的体验。这颗512Mb DDR2 SDRAM芯片，拥有533MHz的高速时钟和仅350ps的快速访问时间，能瞬间响应处理器的每一个指令，大幅提升您的设备数据吞吐效率。

它采用稳定的1.8V供电和宽温设计，确保在各种复杂环境下都能可靠运行。其紧凑的60-TFBGA封装，让您能轻松优化电路板空间，实现更精巧的产品设计。选择它，就是为您的应用注入一颗强劲、稳定的“数据心脏”。

• 制造商产品型号：MT47H64M8SH-187E:H TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR2
• 存储容量：512Mb（64M x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：533MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：350ps
• 电压-供电：1.7V ~ 1.9V
• 工作温度：0°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：60-TFBGA
• MT47H64M8SH-187E:H TR，Micron（美光）产品一站式供应商。