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您是否在寻找一颗能同时满足大容量、高速度与工业级可靠性的存储芯片？MT29F256G08CECBBH6-6ITR:B正是为您而来的解决方案。它集成了美光先进的NAND闪存技术，提供高达256Gb的海量空间，让您轻松存储海量程序、数据和媒体文件，再无容量焦虑。

这颗芯片的并联接口与167MHz的高时钟频率，能为您带来迅猛的数据读写体验，大幅缩短系统等待时间，提升整体运行效率。其2.7V至3.6V的宽电压供电范围和-40°C至85°C的宽工作温度，确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作，为您的工业控制、汽车电子或网络设备提供坚实可靠的数据基石。

• 型号:MT29F256G08CECBBH6-6ITR:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:152-VBGA（14x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NAND（MLC）
• 存储容量:256Gb
• 存储器组织:32G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:152-VBGA
• 供应商器件封装:152-VBGA（14x18）
• MT29F256G08CECBBH6-6ITR:B，Micron（美光）产品一站式供应商。