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还在为嵌入式系统的数据存储需求寻找一颗强大而可靠的“心脏”吗？MT29F2G08ABAFAH4-ITS:F TR就是您期待的答案。这颗来自美光科技的2Gb并行NAND闪存，能以256M x 8的架构，为您的高速应用提供稳定、非易失的数据存储空间，确保关键信息永不丢失。

它专为应对现实世界的挑战而设计。宽达2.7V~3.6V的工作电压让您的电源设计更具弹性，而-40°C至85°C的工业级温度范围，则让它能在从酷寒到炎热的各类严苛环境中稳定运行，极大拓展了您的产品应用边界。紧凑的63-VFBGA封装，更让您能轻松实现高密度板级设计，提升产品整体竞争力。

• 型号:MT29F2G08ABAFAH4-ITS:F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F2G08ABAFAH4-ITS:F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。