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还在为系统数据带宽不足而烦恼吗？MT47H128M4B6-25E:D TR这颗512Mb DDR2 SDRAM芯片，就是为您提升系统响应速度而生的利器。它凭借400MHz的高时钟频率和并行接口，能轻松应对高速数据读写挑战，让您的嵌入式设备或通信模块运行如飞，彻底释放数据处理潜力。

它采用1.8V左右低电压供电和紧凑的60-FBGA封装，不仅有助于您降低整体系统功耗，还能节省宝贵的PCB板空间。其宽温（0°C ~ 85°C）特性确保了在各种环境下都能稳定工作，为您产品的可靠性与耐用性加分。选择它，就是选择了一个经过市场验证的高效、稳定的存储解决方案。

• 型号:MT47H128M4B6-25E:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:128M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA
• MT47H128M4B6-25E:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。