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还在为寻找高性价比、稳定可靠的存储核心而烦恼吗？MT46V32M8CY-5B:M这颗256Mb DDR SDRAM芯片，就是为您解忧的利器。它能够为您的嵌入式系统、工业控制器或网络设备提供高速、大容量的数据暂存空间，让您的主处理器从繁重的数据搬运工作中解放出来，专注于核心算法与逻辑控制，从而全面提升系统运行效率。

凭借200MHz的运行频率和仅700ps的快速访问时间，它能轻松应对实时数据流处理，确保您的应用响应迅捷如电。其2.5V~2.7V的低电压设计，不仅降低了系统整体功耗，更彰显了绿色环保的理念。无论是处理复杂的多媒体信息，还是保障通信数据的流畅交换，它都能成为您系统中沉默而强大的性能基石。

• 型号:MT46V32M8CY-5B:M
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:32M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x12.5）
• MT46V32M8CY-5B:M，Micron（美光）产品一站式供应商。