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更令人心动的是它的高效能。其工作电压低至1.283V~1.45V，显著降低了系统整体功耗，让您的便携设备续航更持久，嵌入式系统运行更凉爽稳定。采用78-TFBGA小型化封装，易于集成，节省宝贵空间。无论是驱动复杂的工业控制、保障网络通信流畅，还是赋能消费电子，它都能让您轻松构建出既强大又高效的产品解决方案。

• 型号:MT41K512M8RH-107:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
• MT41K512M8RH-107:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。