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还在为嵌入式系统的数据瓶颈寻找突破吗？MT46V32M16CY-5B AAT:J TR就是您期待的答案。这颗美光DDR SDRAM芯片，凭借512Mb的大容量和200MHz的高速时钟，能轻松驾驭海量数据的实时读写任务，让您的系统响应速度获得飞跃性提升。

它专为严苛环境而生，宽达-40°C至105°C的工作温度范围，让您的设备无惧酷暑与严寒，稳定运行。700ps的极速访问时间与低至2.3V~2.7V的供电电压，在为您带来高效能数据吞吐的同时，也实现了出色的功耗控制。无论是工业控制、汽车电子还是通信设备，选择它，就是为您的核心应用选择了经久耐用的性能保障。

• 型号:MT46V32M16CY-5B AAT:J TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x12.5）
• MT46V32M16CY-5B AAT:J TR，Micron（美光）产品一站式供应商。