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它采用先进的低电压设计（1.283V~1.45V），在为您提供强劲性能的同时，还能显著降低系统功耗，延长设备续航。其宽温（0°C~95°C）特性和可靠的96-TFBGA封装，确保它在各种严苛环境下都能稳定工作，让您轻松应对工业控制、网络通信等高要求场景，为您的产品注入高效、可靠的核心动力。

• 型号:MT41K64M16JT-125:G
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（8x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）
• MT41K64M16JT-125:G，Micron（美光）产品一站式供应商。