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还在为系统数据吞吐瓶颈而烦恼吗？MT46V64M8TG-75Z:D TR这颗512Mb DDR SDRAM芯片，就是为您打破性能枷锁的利器。它拥有64M x 8的存储架构与133MHz的运行频率，能为您的高速处理系统提供澎湃且稳定的数据流，让您的设备在处理复杂任务时响应更迅捷，运行更流畅。

其并联接口与750ps的极速访问时间，确保了数据交换的高效与精准。宽达2.3V~2.7V的供电范围，让它在各种严苛的电源环境下也能稳定工作，大大提升了您整体设计的鲁棒性。选择它，就是为您的工业控制、网络通信或消费电子项目，选择了一个值得信赖的高性能数据伙伴。

• 型号:MT46V64M8TG-75Z:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:133 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:750 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V64M8TG-75Z:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。