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还在为嵌入式系统寻找稳定可靠的数据存储核心吗？NAND512W4A0AN6E就是您理想的答案。这颗由美光科技打造的512Mb并行NAND闪存，能以50ns的高速访问时间，让您的系统快速读写数据，显著提升响应效率。其32M x 16的存储结构，非常适合存储程序代码、配置参数或用户数据，是各类控制系统的安静基石。

更令人放心的是，它拥有2.7V至3.6V的宽电压适应能力和-40°C到85°C的工业级工作温度范围。这意味着无论您的设备身处何种严苛环境炎热的车间或是寒冷的户外，它都能稳定运行，极大增强了您产品的环境适应性和可靠性。选择它，就是为您的设计选择了一份经久耐用的品质承诺。

• 型号:NAND512W4A0AN6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:50ns
• 访问时间:50 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
• NAND512W4A0AN6E，Micron（美光）产品一站式供应商。