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还在为系统数据带宽瓶颈而烦恼吗？让MT49H16M18FM-25 IT:B TR为您开启高效数据交互的新篇章。这颗288Mb并行DRAM芯片，能以高达400MHz的时钟频率飞速运转，配合20ns的极速访问时间，轻松应对实时性要求极高的数据处理任务，显著提升您的系统响应速度与整体性能。

它采用先进的1.8V左右低电压核心供电，在提供强大动力的同时，有效帮助您控制整体功耗。其宽温工作特性（-40°C ~ 85°C）和可靠的144-TFBGA封装，确保了在各种严苛环境下都能稳定运行，让您的工业控制、网络通信或嵌入式设备设计更具韧性与竞争力。选择它，就是选择了一份经过市场验证的成熟与稳定。

• 型号:MT49H16M18FM-25 IT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:16M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H16M18FM-25 IT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。