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这颗芯片的宽电压（2.7V-3.6V）设计与0°C至70°C的工业级温度范围，赋予了它强大的环境适应能力，确保在各种应用场景下都能稳定可靠地工作。选择它，就是为您的工业控制、网络通信或数据存储设备选择了一个久经考验、性能卓越的存储核心，让您的产品设计更加稳健高效。

• 型号:MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 132VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:256Gb
• 存储器组织:32G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:100 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-VBGA
• 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
• MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。