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还在寻找一颗能扛重任、值得信赖的核心存储芯片吗？M29W256GL70ZA6E将为您提供答案。这颗由美光科技打造的256Mb并行NOR闪存，能以32M x 8或16M x 16的灵活组织方式，为您高效存储海量程序代码与关键数据。其70ns的极速访问与写入能力，让系统启动和运行如行云流水，显著提升整体响应效率。

它采用2.7V~3.6V宽电压设计，并能在-40°C至85°C的严苛温度范围内稳定工作，轻松应对工业、汽车、通信等领域的复杂环境挑战。表面贴装的64-TBGA封装，更为您节省宝贵的板卡空间。选择它，就是为您的产品选择了一位沉默却无比可靠的“数据守护者”。

• 型号:M29W256GL70ZA6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:64-TBGA（10x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64TBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:32M x 8，16M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:64-TBGA
• 供应商器件封装:64-TBGA（10x13）
• M29W256GL70ZA6E，Micron（美光）产品一站式供应商。