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MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F TR 零件图片(仅供参考)

MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F TR
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MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F TR 规格参数

您是否正在为下一代汽车电子或工业设备寻找一颗“扛得住”的核心存储器?MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F TR正是为您而来。这颗由美光科技出品的4Gb并行NAND闪存,能为您提供稳定、大容量的非易失存储空间,轻松应对程序代码、系统数据、用户配置信息以及日志文件的存储需求。

它让您的设计游刃有余。宽至2.7V-3.6V的工作电压,提升了电源设计的容错性;其车规级(AEC-Q100)品质和-40°C ~ 105°C的宽温工作能力,意味着它能在绝大多数恶劣环境下稳定工作,极大提升了终端产品的可靠性与耐用性。选择它,就是为您的产品选择了一份经得起考验的数据安全保障。

  • 型号:MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:63-VFBGA(9x11)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:512M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:63-VFBGA
  • 供应商器件封装:63-VFBGA(9x11)
  • MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F TR 基本参数:

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