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您正在为您的嵌入式系统、网络设备或工业控制器寻找一颗性能强劲、稳定可靠的“数据仓库”吗？MT47H16M16BG-3:B TR正是这样一款专为高效能应用而生的DDR2 SDRAM芯片。它能为您做什么？简单来说，它就是您系统内存的“超级跑道”和“高速缓存区”。

这颗来自美光科技的256Mb并行DRAM，采用16位宽数据总线，能以高达333MHz的速度与您的处理器进行数据交换。其极低的访问延迟（仅450ps）和快速的写周期，让您的应用程序能够几乎无等待地存取数据，显著提升系统响应速度和整体吞吐量。无论是处理复杂的算法、缓存流媒体数据还是支撑多任务并行，它都能轻松应对，让您的设备运行如飞。

同时，其1.8V左右的标准工作电压有助于控制功耗，而宽泛的工作温度范围（0°C至85°C）则确保了它在各种环境下都能稳定工作。选择它，就是为您的产品选择了一份经过市场验证的高效与可靠。

• 型号:MT47H16M16BG-3:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（8x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:16M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:450 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-FBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（8x14）
• MT47H16M16BG-3:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。