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您正在寻找一颗能扛重任、值得信赖的存储核心吗？NAND08GW3F2AN6E正是这样一款解决方案。它拥有8Gb（1G x 8）的存储容量，采用高速并联接口与25ns的快速访问时间，能让您的设备实现高效的数据吞吐与稳定的信息存储。

这颗芯片专为严苛环境而生，支持-40°C至85°C的宽温工作范围与2.7V~3.6V的宽电压供电，确保在工业控制、车载系统、网络通信等关键应用中表现始终如一。其经典的48-TSOP封装形式，让您的生产贴装流程更加轻松便捷。选择NAND08GW3F2AN6E，就是为您的产品选择了一份经过市场验证的可靠性与高性能，让您专注于核心功能开发，无需为存储稳定性担忧。

• 型号:NAND08GW3F2AN6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:1G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:25ns
• 访问时间:25 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
• NAND08GW3F2AN6E，Micron（美光）产品一站式供应商。