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还在寻找能同时满足大容量、高速度与高可靠性的存储核心吗？MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR闪存芯片正是您的理想答案。它拥有高达64Gb（8GB）的海量存储空间，采用高速并联接口与100MHz时钟频率，让您的设备能够轻松应对大数据流的瞬间读写，无论是启动加载还是文件传输，都如行云流水般顺畅高效。

这颗芯片基于美光领先的NAND闪存技术，非易失特性确保数据安全无忧。其2.7V~3.6V的宽电压供电设计与0°C~70°C的工业级工作温度范围，赋予了它卓越的环境适应性与稳定性，让您的产品在各种应用场景下都能持续可靠运行。选择它，就是为您的智能设备装备了一颗强劲、可靠的数据心脏。

• 制造商产品型号：MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 64GBIT PAR 48TSOP I
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：64Gb（8G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：100MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR，Micron（美光）产品一站式供应商。