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还在为设备的内存性能瓶颈而烦恼吗？MT53E256M32D2DS-053 AAT:B TR就是您期待的答案。这颗美光出品的8Gb LPDDR4移动DRAM，能以1.866GHz的高频为您的高速设备提供充沛的数据带宽，无论是处理复杂的图形任务还是运行多款大型应用，都能确保极致流畅的体验。

更令人心动的是，它在提供强大性能的同时，凭借0.6V/1.1V的低电压设计和Mobile LPDDR4技术，实现了出色的能效比，能显著延长您设备的电池续航时间。其表面贴装的200-WFBGA封装和宽广的工作温度范围（-30°C ~ 105°C），让您能轻松将其集成到各种紧凑、严苛的环境中，打造出既高效又可靠的新一代智能产品。

• 型号:MT53E256M32D2DS-053 AAT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:256M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.866 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53E256M32D2DS-053 AAT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。