我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否渴望为您的移动设备找到一颗既能飙高速，又极其省电的“心脏”？MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E TR正是为此而生。它基于美光领先的LPDDR4技术，集成了高达64Gb的存储容量和1866MHz的运行频率，能为您的高端应用提供海量、高速的数据交换能力，彻底释放主处理器的潜能。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的能效比。仅需1.1V的低电压供电，它就能在-30°C到85°C的宽温度范围内稳定工作，让您的设备在保持高性能输出的同时，显著延长电池续航，并轻松应对各种复杂环境。其紧凑的556-VFBGA封装，更让您能够轻松实现更轻薄、更时尚的产品设计。

简而言之，选择它，就是选择了一个让您的产品运行更流畅、响应更迅速、体验更持久的可靠内存解决方案。它将复杂的性能需求转化为简单高效的实现，助您轻松打造出更具市场竞争力的智能终端。

• 型号:MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:556-VFBGA（12.4x12.4）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 64GBIT 1.866GHZ 556VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:64Gb
• 存储器组织:1G x 64
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.866 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:556-VFBGA
• 供应商器件封装:556-VFBGA（12.4x12.4）
• MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。