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还在为系统数据带宽不足而烦恼吗？让MT49H32M18CFM-18:B TR为您带来改变！这颗由美光科技打造的576Mb并行DRAM，凭借高达533MHz的时钟频率和仅15ns的访问时间，能瞬间提升您的系统数据吞吐能力，轻松应对实时数据处理、高速缓冲等严苛任务。

它采用1.8V左右的核心电压供电和144-TFBGA小型化封装，不仅功耗控制出色，更能帮您节省宝贵的电路板空间。其宽温度范围（0°C至95°C）特性确保了在多种环境下都能稳定运行，让您的产品设计更可靠、更高效。选择它，就是为您的设备注入一颗强劲而稳定的“数据心脏”。

• 型号:MT49H32M18CFM-18:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H32M18CFM-18:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。