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还在为嵌入式系统的数据带宽和响应速度而烦恼吗？MT47H64M8B6-37E IT:D TR正是为您排忧解难的利器。这颗512Mb容量的DDR2 SDRAM芯片，凭借其并联接口和267MHz的时钟频率，能轻松应对高速数据读写挑战，让您的系统运行如行云流水般顺畅。

它采用1.8V左右的核心电压，不仅高效能，更兼顾低功耗设计。其宽达-40°C至95°C的工作温度范围，让您的设备无惧极端环境考验，稳定可靠。无论是工业控制、网络通信还是需要快速存储访问的各类应用，选择它，就是为您的产品选择了一颗强劲而可靠的“数据心脏”。

• 型号:MT47H64M8B6-37E IT:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:267 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:500 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA
• MT47H64M8B6-37E IT:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。