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还在为设备的数据存储能力发愁吗？让MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A TR来彻底改变这一切！这颗由美光科技出品的1Tb大容量并行NAND闪存芯片，是您实现海量数据高速存取的终极解决方案。其高达333MHz的运行速度，能让您的系统处理数据如行云流水，极大提升整体运行效率。

它采用可靠的表面贴装132-VBGA封装，工作电压范围宽（2.5V~3.6V），适应性强，能轻松集成到您的网络设备、高端消费电子或工业控制系统中。选择它，就是为您的产品选择了一个强大、稳定且高效的数据心脏，让您在开发中尽享从容与自信。

• 制造商产品型号：MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1TB PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1Tb（128G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。