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您正在寻找一颗能扛重任、稳定可靠的DDR内存芯片吗？MT46V32M16BN-6 IT:F TR就是您理想的伙伴。这颗512Mb（32M x 16）容量的并行接口DDR SDRAM，拥有高达167MHz的运行频率和仅700ps的快速访问时间，能让您的系统数据交换变得无比流畅高效，轻松应对实时数据处理与缓冲的挑战。

更值得一提的是，它专为严苛环境打造。2.3V~2.7V的宽电压供电范围和-40°C至85°C的宽广工作温度，让您的设备无论是在炎热的户外基站还是寒冷的工业现场，都能保持稳定运行，极大提升了产品的环境适应性和可靠性。选择它，就是为您的核心设备选择了一份坚实的性能保障。

• 型号:MT46V32M16BN-6 IT:F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V32M16BN-6 IT:F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。