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您正在寻找一颗能扛重任、值得信赖的存储核心吗？MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E TR正是为您而来。这颗由美光科技出品的1Gb并行NAND闪存芯片，是您实现高效、稳定数据存储的得力助手。它采用128M x 8的架构，为您提供充裕的存储空间，其并联接口确保数据交换流畅迅速。

更令人放心的是，它拥有-40°C至105°C的极端工作温度适应能力和2.7V~3.6V的宽电压支持，让您的产品无论面对严寒酷暑还是电压波动，都能稳定运行，数据安然无恙。选择它，就是为您的嵌入式系统、工业设备或消费电子产品选择了一份坚实的可靠性保障，让您轻松应对各种复杂应用场景的挑战。

• 型号:MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。