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还在寻找一颗能兼顾速度、易用性与成本效益的存储器吗？MT45W4MW16BFB-706 WT就是您的答案。这颗美光64Mb PSRAM芯片，采用伪SRAM技术，为您提供了类似SRAM的简单并行接口，却无需复杂的刷新电路，让您的系统设计瞬间变得轻松高效。

它能为您做什么？它能让您的嵌入式主控快速存取大量临时数据，无论是处理复杂的图形界面、缓冲高速通信数据，还是运行实时操作系统，70ns的快速响应都能确保流程顺畅无阻。其1.7V~1.95V的低电压供电和宽广的工业级温度范围，更让您的产品在节能与可靠性方面表现出众，从容应对各种挑战。

• 型号:MT45W4MW16BFB-706 WT
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:54-VFBGA（6x9）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
• 系列:-
• 包装:盒
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:PSRAM
• 技术:PSRAM（伪 SRAM）
• 存储容量:64Mbit
• 存储器组织:4M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:54-VFBGA
• 供应商器件封装:54-VFBGA（6x9）
• MT45W4MW16BFB-706 WT，Micron（美光）产品一站式供应商。