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还在为嵌入式系统的数据瓶颈寻找突破吗？MT46V64M8BN-6 L:F将为您带来高效流畅的数据处理体验。这颗512Mb容量的DDR SDRAM芯片，拥有167MHz的高速时钟和仅700ps的快速访问时间，能让您的系统轻松应对实时数据读写与缓冲任务，显著提升整体响应速度和处理效率。

它采用经典的64M x 8位宽并行接口，兼容性广泛，让您的硬件集成工作变得简单直接。2.3V~2.7V的低电压运行，帮助您有效控制系统功耗。无论是用于工业控制、网络通信还是其他需要可靠内存支持的应用，它都能以稳定的表现，成为您设备中值得信赖的“数据仓库”。

• 型号:MT46V64M8BN-6 L:F
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V64M8BN-6 L:F，Micron（美光）产品一站式供应商。