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还在为嵌入式系统的数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT46V64M8FN-75:D TR为您带来流畅体验！这颗美光出品的512Mb DDR SDRAM芯片，能以133MHz的时钟频率和750ps的极速访问时间，高效处理数据读写任务，显著提升系统响应速度，让您的设备运行如飞。

它采用经典的64M x 8并行接口，带宽充足，是充当处理器高速缓存或运行内存的理想选择。宽电压（2.3V-2.7V）设计和0°C至70°C的工作温度范围，确保了它在各种复杂环境下都能稳定可靠地工作，大大增强了您产品的适应性和耐用性。

选择它，就是为您的工业控制、网络设备或消费电子产品选择了一份经过市场验证的成熟与安心。其紧凑的60-TFBGA封装还能帮您优化电路板空间，让设计更简洁，生产更高效。

• 制造商产品型号：MT46V64M8FN-75:D TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR
• 存储容量：512Mb（64M x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：133MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：750ps
• 电压-供电：2.3V ~ 2.7V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：60-TFBGA
• MT46V64M8FN-75:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。