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还在为嵌入式系统寻找一颗反应迅速、坚如磐石的“记忆大脑”吗？M58LT128HSB8ZA6E就是您的理想答案。这颗由美光科技打造的128Mb并行NOR闪存芯片，能以高达52MHz的速度和85ns的极速访问时间，让您的应用程序代码执行如飞，数据存取毫无延迟，彻底释放系统性能。

它专为严苛环境而生，1.7V至2V的低功耗设计和-40°C到85°C的宽温工作范围，让您的设备无论是置于炎热的户外还是寒冷的工业现场，都能稳定可靠地运行。其并行接口和8M x 16的组织结构，让您能轻松管理大量固件或数据，为工业控制、汽车电子、通信设备等应用提供高效、非易失的存储解决方案，简化您的设计，保障产品的长期耐用性。

• 型号:M58LT128HSB8ZA6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:80-LBGA（10x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80LBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:128Mb
• 存储器组织:8M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:52 MHz
• 写周期时间 - 字，页:85ns
• 访问时间:85 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:80-LBGA
• 供应商器件封装:80-LBGA（10x12）
• M58LT128HSB8ZA6E，Micron（美光）产品一站式供应商。