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还在为系统运行卡顿、数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT46V128M4BN-6:F TR为您带来改变！这颗美光出品的512Mb DDR SDRAM芯片，就像一个高速、宽敞的数据中转站，能以167MHz的时钟频率和仅700ps的访问速度，让您的处理器随时调用海量数据，彻底释放计算潜力。

它采用高效的128M x 4位宽并联架构和2.5V典型电压供电，表面贴装的60-TFBGA封装更节省空间。无论是工业控制、网络通信还是消费电子，它都能让您的设备运行更流畅、响应更迅捷，轻松应对复杂任务挑战。

• 制造商产品型号：MT46V128M4BN-6:F TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR
• 存储容量：512Mb（128M x 4）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：167MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：700ps
• 电压-供电：2.3V ~ 2.7V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：60-TFBGA
• MT46V128M4BN-6:F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。