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还在为设备的内存性能瓶颈而烦恼吗？MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR将彻底改变这一局面。这颗美光出品的32Gb LPDDR4 DRAM，能以高达2133MHz的速度疾速响应，为您的高端移动设备、计算平台注入强劲的数据吞吐能力，让复杂的应用程序和多任务处理变得无比轻松流畅。

它采用先进的低功耗设计，工作电压仅1.1V，在提供顶级性能的同时，显著优化系统能效，有效延长电池续航。其宽温特性（-30°C至85°C）和可靠的376-WFBGA封装，更能确保您的产品在各种环境下稳定运行，大幅提升最终产品的竞争力与用户满意度。

• 制造商产品型号：MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 32GBIT 2133MHZ 376WFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：32Gb（512M x 64）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：2133MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：376-WFBGA
• MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。