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还在为嵌入式系统的数据带宽不足而发愁吗？让MT46V64M8P-5B:F TR为您注入澎湃动力！这颗512Mb DDR SDRAM芯片，能以高达200MHz的速度运行，访问时间低至惊人的700ps，让您的应用轻松实现高速数据吞吐，告别卡顿与延迟。

它采用标准的并联接口和2.5V~2.7V低电压设计，不仅易于集成到您的系统中，还能有效降低整体功耗。无论是处理实时数据、缓存流媒体还是支撑复杂图形运算，它都能稳定高效地完成任务，是您提升产品性能表现的可靠基石。

• 型号:MT46V64M8P-5B:F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V64M8P-5B:F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。