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还在为系统内存带宽不足而限制创新步伐吗？MT41K256M4JP-15E:G正是为您破局而来的利器。这颗由美光科技打造的1Gb DDR3 SDRAM芯片，能以高达667MHz的时钟频率和并联接口，为您的高速处理器提供源源不断的数据流，轻松应对严苛的实时数据处理任务。

它不仅仅提供速度，更带来全方位的可靠性。1.283V~1.45V的宽电压适应性与0°C~95°C的宽温工作范围，让您的设备在各种复杂环境下都能稳定运行。采用78-TFBGA封装，节省空间的同时便于集成，助您高效完成紧凑型高性能设计。选择它，就是为您的项目选择了一个经过验证的、高性能的内存解决方案核心。

• 型号:MT41K256M4JP-15E:G
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:256M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:667 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.5 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x11.5）
• MT41K256M4JP-15E:G，Micron（美光）产品一站式供应商。