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您正在为嵌入式设备寻找一颗能快速启动、可靠存储核心代码的闪存芯片吗？M29W800DB70N6F TR正是为您而来。这颗由美光科技打造的8Mb并行NOR闪存，拥有70ns的高速访问时间，能让您的处理器几乎无需等待，即刻获取指令与数据，显著提升系统整体响应速度与运行效率。

它采用宽电压设计（2.7V-3.6V），并支持-40°C至85°C的工业级工作温度范围，让您的产品能够轻松应对复杂的供电环境和严苛的温度挑战，确保在各种场景下稳定运行。无论是用于存储启动代码、应用程序还是关键参数，其非易失特性都能保障数据安全。标准的48-TSOP表面贴装封装，也让您的生产集成过程更加简便高效。

• 型号:M29W800DB70N6F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:8Mb
• 存储器组织:1M x 8，512K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• M29W800DB70N6F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。