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当您的设计需要一颗既快速又坚韧的“数据心脏”时，MT29F1G08ABAFAH4-AAT:F TR闪存芯片正是为您而来。它拥有1Gb（128M x 8）的存储容量，采用高效的并行接口和SLC NAND技术，能为您提供高达20ns的极速访问与写入体验，让数据存取毫无延迟，显著提升系统整体响应效率。

更重要的是，它生而不凡。符合汽车级AEC-Q100标准，并能在-40°C到105°C的极端温度范围内稳定工作，让您的产品无惧严寒酷暑的挑战。2.7V~3.6V的宽电压支持，进一步增强了其在复杂供电环境下的适应性。无论是汽车电子、工业自动化还是高端通信设备，选择它，就是为您的核心数据选择了可靠的保险箱。

• 型号:MT29F1G08ABAFAH4-AAT:F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NAND（SLC）
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:20ns
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F1G08ABAFAH4-AAT:F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。