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还在为设备的内存性能与功耗平衡而烦恼吗？EDB4064B4PB-1D-F-R TR将彻底改变您的设计体验。这颗来自美光科技的4Gb移动LPDDR2 DRAM，能以高达533MHz的速度处理数据，让您的应用程序运行得更快、更流畅，瞬间响应各类复杂任务。

它采用先进的低功耗设计，工作电压范围宽至1.14V~1.95V，能显著优化系统整体能耗，轻松延长电池供电设备的续航时间。其216球WFBGA小型化封装和表面贴装特性，让您能更高效地利用宝贵的PCB空间，实现更紧凑、更时尚的产品设计。选择它，就是为您的智能移动设备、汽车电子或工业控制系统注入一颗强劲、可靠且高效的心脏。

• 制造商产品型号：EDB4064B4PB-1D-F-R TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 4GBIT PARALLEL 216WFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量：4Gb（64M x 64）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：533MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.14V ~ 1.95V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：216-WFBGA
• EDB4064B4PB-1D-F-R TR，Micron（美光）产品一站式供应商。