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您正在寻找一颗能扛重任、反应敏捷的核心存储芯片吗？M29W400DB70ZE6E正是为您而来。这颗由美光科技打造的4Mb并行NOR Flash芯片，能以70ns的高速让您的系统瞬间读取或存储关键数据，无论是复杂的启动代码还是实时运行参数，都能得到高效、可靠的处理。

它具备2.7V-3.6V的宽电压适应能力和-40°C至85°C的工业级温度范围，确保您的产品在电力环境复杂或温差巨大的场合下依然稳定工作。其表面贴装的48-TFBGA封装节省空间，坚固耐用。选择它，就是为您的嵌入式设计注入一颗强劲而可靠的“记忆之心”，让您的产品在性能与稳定性上赢得先机。

• 型号:M29W400DB70ZE6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TFBGA（6x9）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:4Mb
• 存储器组织:512K x 8，256K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFBGA
• 供应商器件封装:48-TFBGA（6x9）
• M29W400DB70ZE6E，Micron（美光）产品一站式供应商。