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还在为系统存储的瓶颈而烦恼吗？让MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR为您开启存储新纪元！这颗由美光科技打造的4Tb大容量并行NAND闪存芯片，能轻松为您承载海量数据，无论是复杂的应用程序、庞大的数据库还是高清媒体内容，都能游刃有余地存储与管理。

它凭借高达333MHz的时钟频率和并行接口，为您带来疾速的数据传输体验，显著缩短系统响应时间，让数据处理高效流畅。其宽电压（2.5V~3.6V）供电和0°C~70°C的工作温度范围，确保了在各种应用环境下的出色稳定性和可靠性，是您构建高性能、高可靠性服务器、网络设备或工业系统的理想存储基石。

• 制造商产品型号：MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 4TB PARALLEL 333MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：4Tb（512G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
• MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。