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还在为嵌入式系统寻找一颗坚实可靠的“记忆核心”吗？M29W128GL70ZA6F TR就是您理想的解决方案。这颗128Mb容量的并行NOR闪存，能为您高效存储庞大的启动代码、操作系统或关键应用程序，其70ns的快速访问时间让处理器能够高速执行指令，显著提升系统响应速度和整体性能。

它拥有2.7V~3.6V的宽工作电压范围和-40°C至85°C的广阔工作温度窗口，让您的设备能够轻松应对工业、汽车等严苛环境下的电压波动与温度挑战。采用紧凑的64-TBGA封装，非常适合空间受限的现代电子设计，为您打造稳定、高效且经久耐用的产品提供强大的存储基石。

• 型号:M29W128GL70ZA6F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:64-TBGA（10x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64TBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:128Mb
• 存储器组织:16M x 8，8M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:64-TBGA
• 供应商器件封装:64-TBGA（10x13）
• M29W128GL70ZA6F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。