我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT49H16M36BM-18 IT:B现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

当您的设备需要以闪电般的速度处理并行数据流时，MT49H16M36BM-18 IT:B就是您理想的解决方案。这颗由美光科技打造的576Mb并行DRAM，能以高达533MHz的时钟频率和15ns的快速访问时间，让您的系统实现高效的数据吞吐，轻松应对网络通信、工业控制等场景下的实时性要求。

它采用1.8V左右的核心电压，在提升性能的同时兼顾能效，并且能在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定工作，确保您的产品在多样化的环境中都具备出色的可靠性。其144-TFBGA紧凑型封装，更便于您进行高密度的电路板设计，为产品小型化赋能。

• 型号:MT49H16M36BM-18 IT:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H16M36BM-18 IT:B，Micron（美光）产品一站式供应商。