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MT53D512M32D2NP-053 WT:D TR 零件图片(仅供参考)

MT53D512M32D2NP-053 WT:D TR
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MT53D512M32D2NP-053 WT:D TR 规格参数

还在为设备的内存性能瓶颈而烦恼吗?MT53D512M32D2NP-053 WT:D TR将彻底改变这一局面。这颗来自美光科技的16Gb移动LPDDR4 DRAM,以高达1866MHz的时钟频率,为您的高速计算设备注入澎湃数据流,让应用程序加载更快、多任务切换更丝滑,全面提升终端用户的流畅体验。

它采用先进的1.1V低电压设计,在提供顶级性能的同时,显著优化功耗,让您的设备续航更持久。其紧凑的200-WFBGA封装和宽温工作特性(-30°C ~ 85°C),让您能轻松将其集成到各种空间受限且环境要求严苛的智能移动设备中,是追求高性能与高能效比的理想选择。

  • 制造商产品型号:MT53D512M32D2NP-053 WT:D TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 16GBIT 1866MHZ 200WFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:16Gb(512M x 32)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1866MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:200-WFBGA
  • MT53D512M32D2NP-053 WT:D TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
只为成为您值得信赖的Micron供应商

MT53D512M32D2NP-053 WT:D TR 基本参数:

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