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还在为经典产品方案的存储核心寻找稳定可靠的“老兵”吗？MT29F1G16ABBDAHC:D正是您理想的答案。这颗美光出品的1Gb并行NAND闪存，能以16位宽数据总线为您提供高效的数据读写通道，确保系统响应迅速流畅。

它能在1.7V至1.95V的低电压下稳定工作，有效帮助您控制整体系统功耗。紧凑的63-VFBGA封装让您轻松应对紧凑的板级空间布局，而0°C至70°C的工作温度范围则保证了其在常见商业与工业环境中的广泛适用性。选择它，就是为您的成熟设备选择了一份历经验证的存储可靠性。

• 型号:MT29F1G16ABBDAHC:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（10.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（10.5x13）
• MT29F1G16ABBDAHC:D，Micron（美光）产品一站式供应商。