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还在为嵌入式系统的数据存储速度而烦恼吗？让NAND04GR3B2DN6E为您带来改变！这颗由美光科技打造的4Gb并行NAND闪存，拥有512M x 8的组织结构，能以高达25ns的迅捷速度处理数据读写，让您的设备运行如飞，彻底告别延迟。

它采用1.7V~1.95V低电压供电和工业级宽温设计（-40°C ~ 85°C），功耗与稳定性表现俱佳。无论是智能工控设备、车载系统还是网络通信产品，它都能轻松集成，为您提供高效、可靠的非易失性存储解决方案，确保关键数据万无一失。

• 制造商产品型号：NAND04GR3B2DN6E
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：4Gb（512M x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：25ns
• 访问时间：25ns
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• NAND04GR3B2DN6E，Micron（美光）产品一站式供应商。