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它能让您的平板、智能终端或嵌入式系统轻松处理多任务与复杂数据流，533MHz的运行频率确保响应迅如闪电。同时，其先进的低功耗特性（工作电压低至1.14V）能显著优化系统能耗，让您的产品续航更持久，性能表现始终稳定高效。

• 型号:EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:134-FBGA（10x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:128M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:134-WFBGA
• 供应商器件封装:134-FBGA（10x11.5）
• EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D，Micron（美光）产品一站式供应商。