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还在为嵌入式系统寻找一颗速度快、可靠性高的核心存储芯片吗？TE28F640J3D75B TR正是您期待的解决方案。这颗64Mb并行NOR闪存，拥有75ns的快速访问时间，能让您的处理器高效读取指令与数据，显著提升系统响应速度。其2.7V-3.6V的宽电压供电和工业级温度范围，确保它在各种严苛环境下稳定工作，让您的产品设计更具韧性和竞争力。

它采用灵活的x8或x16数据总线配置，轻松适配不同架构需求，是存储启动代码、应用程序或关键配置数据的理想选择。表面贴装的56-TSOP封装节省空间，便于自动化生产。选择TE28F640J3D75B TR，就是为您的工业控制、通信设备或汽车电子应用注入一颗强劲可靠的数据心脏，让系统运行更流畅、更安心。

• 型号:TE28F640J3D75B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:56-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56TSOP
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:64Mbit
• 存储器组织:8M x 8，4M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:75ns
• 访问时间:75 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:56-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:56-TSOP
• TE28F640J3D75B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。