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您正在寻找一颗能扛起数据存储重任、性能稳定且极具成本优势的闪存芯片吗？MT29F2G08ABAFAH4-S:F TR正是为您而来。这颗由美光科技打造的2Gb并行NAND闪存，拥有256M x 8的经典结构，能以非易失的方式为您安全保存大量程序代码、系统参数或用户数据，断电后信息依然完好无损。

它采用宽电压设计（2.7V~3.6V），兼容性强，让您的电源设计更轻松；紧凑的63-VFBGA封装节省宝贵板卡空间，便于高效布局。无论是升级现有产品还是为成熟设计寻找可靠备件，这颗芯片都能以经过市场验证的稳定性，助您保障生产连续性，从容应对各种嵌入式存储挑战。

• 型号:MT29F2G08ABAFAH4-S:F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F2G08ABAFAH4-S:F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。