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它采用先进的低电压技术（1.283V~1.45V），在为您提供强劲性能的同时，显著降低系统能耗，延长设备续航。其宽温工作特性（0°C~95°C）和稳定的并行接口，确保您的产品在各种复杂环境下都能可靠运行，让您专注于核心功能开发，无需为内存稳定性担忧。

• 型号:MT41K2G4RKB-107:N TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:2G x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
• MT41K2G4RKB-107:N TR，Micron（美光）产品一站式供应商。