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当您的设计需要一颗强大、可靠的内存心脏时，MT41K256M16HA-125 AIT:E TR正是您期待的解决方案。这颗美光4Gb DDR3L SDRAM芯片，能以高达800MHz的速度高效处理数据，其13.75ns的快速访问时间让系统响应如丝般顺滑，显著提升整体运行效率。

它专为 demanding 应用而生。宽广的工业级温度范围（-40°C ~ 95°C）让您轻松应对严苛环境挑战，而1.283V~1.45V的低电压工作特性则帮助您优化系统功耗，实现性能与能效的完美平衡。无论是工业控制、网络通信还是高端消费电子，它都能提供稳定可靠的数据吞吐支持。

采用紧凑的96-TFBGA封装，它为您的高密度电路板设计节省宝贵空间。选择这颗经过市场验证的芯片，就是为您的产品选择了一份坚实的性能保障与长期的运行可靠性。

• 型号:MT41K256M16HA-125 AIT:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（9x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（9x14）
• MT41K256M16HA-125 AIT:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。