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还在为嵌入式系统的代码存储与快速启动寻找可靠方案吗？MT28EW01GABA1LJS-0SIT TR正是您期待的答案。这颗由美光科技出品的1Gb并行NOR闪存，能为您安全地存储核心启动代码与关键数据，其非易失特性确保信息永不丢失，让您的设备每次开机都稳定可靠。

它拥有高达1Gb（128M x 8）的存储容量和95ns的快速访问时间，能显著提升系统响应速度和代码执行效率。宽电压（2.7V-3.6V）与宽温（-40°C至85°C）支持，让您轻松应对各种严苛的工业与汽车应用环境，设计更具弹性。选择它，就是为您的产品选择了一颗高效、耐用且值得信赖的存储核心。

• 型号:MT28EW01GABA1LJS-0SIT TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:56-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8，64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:60ns
• 访问时间:95 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:56-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:56-TSOP
• MT28EW01GABA1LJS-0SIT TR，Micron（美光）产品一站式供应商。