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您正在寻找一颗能瞬间提升系统数据吞吐能力的“心脏”吗？MT49H16M18CSJ-25:B正是您期待的解决方案。这颗288Mb容量的并行DRAM，拥有高达400MHz的时钟频率和仅20ns的访问时间，能让您的应用程序摆脱数据等待的束缚，实现流畅高效的高速数据处理。

它采用144-TBGA表面贴装封装，集成度高，节省宝贵的板级空间。1.7V~1.9V的低电压供电，在提供强劲性能的同时，有效帮助您控制整体系统功耗。其宽泛的工作温度范围（0°C ~ 95°C）更赋予了产品出色的环境适应性，让您的设备在多种工况下都能稳定运行，可靠性倍增。

• 型号:MT49H16M18CSJ-25:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:16M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H16M18CSJ-25:B，Micron（美光）产品一站式供应商。