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还在为嵌入式系统寻找一颗既能海纳百川又能迅捷如风的核心存储芯片吗？MT29F64G08CBCDBJ4-6R:D正是您的答案。这颗由美光科技打造的64Gb并行NAND闪存，拥有高达167MHz的时钟频率，能为您的高速设备提供澎湃的数据吞吐能力，让系统启动、程序加载和大文件传输变得前所未有的流畅。

它采用可靠的132-VBGA封装，支持2.7V-3.6V宽电压和0°C至70°C的工作温度，确保在各种严苛环境下稳定运行。无论是工业控制器、网络设备还是数字影像存储，它都能轻松胜任，成为您产品中沉默却强大的数据基石，让您的设计在性能和可靠性上双双赢得先机。

• 型号:MT29F64G08CBCDBJ4-6R:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64GBIT PAR 132VBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:64Gb
• 存储器组织:8G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-VBGA
• 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
• MT29F64G08CBCDBJ4-6R:D，Micron（美光）产品一站式供应商。